PBHV8560ZX دیتاشیت

PBHV8560ZX

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBHV8560ZX
حجم فایل 57.079 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت PBHV8560ZX

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBHV8560ZX
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 650mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 70@50mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 600V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 50mV@100mA,20mA
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه